80C51单片机引脚图及引脚功能介绍

80C51单片机有40个引脚大致可分为4类：电源、时钟、控制和I/O引脚。

1、电源:  

（1）VCC - 芯片电源，接+5V；

（2） VSS - 接地端；

2、时钟:XTAL1、XTAL2 - 晶体振荡电路反相输入端和输出端。

3、控制线:控制线共有4根，

（1）ALE/PROG:地址锁存允许/片内EPROM编程脉冲。

 ALE功能：用来锁存P0口送出的低8位地址。

 PROG功能：片内有EPROM的芯片，在EPROM编程期间，此引脚输入编程脉冲。

（2） PSEN:外ROM读选通信号。

（3）RST/VPD:复位/备用电源。

RST（Reset）功能：复位信号输入端。

VPD功能：在Vcc掉电情况下，接备用电源。

（4）EA/Vpp:内外ROM选择/片内EPROM编程电源。

EA功能：内外ROM选择端。

Vpp功能：片内有EPROM的芯片，在EPROM编程期间，施加编程电源Vpp。

扩展资料：

80C51单片机属于MCS-51系列单片机，由Intel公司开发，其结构是8048的延伸，改进了8048的缺点，增加了如乘（MUL）、除（DIV）、减（SUBB）、比较（CMP）、16位数据指针、布尔代数运算等指令，以及串行通信能力和5个中断源。

采用40引脚双列直插式DIP（Dual In Line Package），内有128Byte的RAM单元及4K的ROM。

-80c51

-51单片机

1602LCD是指显示的内容为16X2，每行16个字符液晶模块，共有16个引脚：

第1引脚：GND为电源地；

第2引脚：VCC接5V电源正极；

第3引脚：V0为液晶显示器对比度调整端，接正电源时对比度最弱，接地电源时对比度最高；

第4引脚：RS为寄存器选择，高电平1时选择数据寄存器、低电平0时选择指令寄存器；

第5引脚：RW为读写信号线，高电平(1)时进行读操作，低电平(0)时进行写操作；

第6引脚：E(或EN)端为使能(enable)端,高电平（1）时读取信息，负跳变时执行指令；

第7～14引脚：D0～D7为8位双向数据端；

第15～16脚：空脚或背灯电源。

扩展资料

LCD1602的基本操作：

1 读状态：输入RS=0，RW=1，E=高脉冲。输出：D0—D7为状态字。

2 读数据：输入RS=1，RW=1，E=高脉冲。输出：D0—D7为数据。

3 写命令：输入RS=0，RW=0，E=高脉冲。输出：无。

4 写数据：输入RS=1，RW=0，E=高脉冲。输出：无。

参考资料

-LCD1602

TOP247Y各引脚功能和原理如下：

1漏极 (D) 引脚：

内部高压功率MOSFET的漏极输出。

2控制 (C) 引脚：

误差放大器及反馈电流的输入脚，用于占空比控制。 

3线电压检测 (L) 引脚

过压、欠压保护输入引脚。不需要此项保护，可将此脚接输入电源负。 

4外部流限 (X) 引脚：

外部限流保护输入引脚。不需要此项保护，可将此脚接输入电源负。

5多功能 (M) 引脚：

过压、钱呀、过流保护输入引脚。不需要此项保护，可将此脚接输入电源负。 

6源极 (S) 引脚：

内部高压功率MOSFET的源极输出脚。一般此脚接输入电源负。

：

TOP247YN构成的三路隔离输出+ 15V、+15V和+5V开关电源电路如图所示。其输入电压变化范围为20-30V DC和85-265V AC。

整流桥型号为RS205，参数为反向耐压600V，最大可通过电流2A。

初级保护电路由箝位电路（D5、D8）构成，能有效抑制因高频变压器存在漏感而产生的尖峰电压，保护TOP247YN内部的功率开关管不受损坏。D8采用P6KE200A型瞬变电压抑制二极管（TVS），其反向击穿电压UB=200V。V5选用的是UF4007型超快恢复二极管（SRD）。

C5为VCC端的旁路电容。

D6和C13组成反馈线圈输出端的高频整流滤波器。

次级高频整流管采用大电流、低压降的肖特基二极管，型号为21DQ10（3A/100V）。同时还使用了UF4007。后面还有滤波电路，输出端接有假负载。

铁氧体磁芯型号为EE25。为防止发生磁饱和现象，需要加入一定的气隙。

TOP247电源设计-电源网

G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。

这是MOS管热释电红外传感器，那个矩形框是感应窗口，G脚为接地端，D脚为内部MOS管漏极，S脚为内部MOS管源极。在电路中，G接地，D接电源正，红外信号从窗口输入，电信号从S输出。

关于MOS管

晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。

判断源极S、漏极D

将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。因为测试前提不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。