商业源码 我的世界建造服务器常用指令什么样常用指令一览
我的世界建造服务器常用指令什么样常用指令一览，如何你要接触我的世界那么建造服务常用指令一定是要了解的知识，因为这个关乎每个玩家在游玩我的世界服务器时息息相关的事情。这也是我的世界的精髓所在。
主城保护
在图中红色范围是冒险模式的范围
在白色圈及其外边是生存模式的范围
那如何用指令做到呢？
在它的命令输入栏输入
/gamemode2@pr=3，m=！2
方块类型选择循环
条件设置成无条件
红石选择保持开启
这个指令的意思是
以该命令方块为中心
半径为3的范围内
会自动更变为冒险模式
从而起到保护这个范围的作用
接下来是上面的那个命令方块
在它的命令输入栏输入
/gamemode0@pr=5，rm=4，m=！0
方块类型选择循环
条件设置成无条件
红石选择红石控制
这个指令的意思是
以该命令方块为中心
半径为4~5的范围
会自动更变为生存模式
以后冒险家们只需要在主城的中心
放个这样的命令方块
自定义想保护的范围
那么其他小伙伴进来这个范围的时候
他们就会切换进冒险模式
就不能搞破坏啦
然后当他们离开这个范围的时候
就替他们恢复生存模式就好啦
金币兑换物品
在开始之前
需要设置一个计分板
将分数命名成“金币”
首先放置一个命令方块
在它的命令输入栏输入
/scoreboardobjectivesaddgolddummy金币
方块类型选择脉冲
条件设置成无条件
红石选择红石控制
这样一个关于“金币”的计分板
就新建好了
这是必要的一步
接着再设置一个方块
这个方块可以给玩家“金币”
在它的命令输入栏输入
/scoreboardplayersadd@pgold
方块类型选择脉冲
条件设置成无条件
红石选择红石控制
在这个示例中
小官微只需要按下按钮
就能获得“金币”
在大家的服务器里
只需要根据情况
改变获得“金币”的方式即可
接下来竖直叠上三个命令方块
打开最底下的命令方块
在它的命令输入栏输入
testfor@ar=2,scores={gold=2}
方块类型选择脉冲
条件设置成无条件
红石选择红石控制
接下来打开中间的命令方块
在它的命令输入栏输入
/scoreboardplayersremove@pgold
方块类型选择连锁
条件设置成有条件的
红石选择保持开启
最后设置最上的命令方块
在它的命令输入栏输入
/give@pgold_ingot
方块类型选择连锁
条件设置成有条件的
红石选择保持开启
这一系列的命令方块的效果是
当你用按钮驱动最下方的命令方块
它会检测你是否拥有超过2个“金币”
如果满足条件就会触发中间的命令方块
你就会被移除掉2个“金币”
同时最上方的命令方块会工作
从而使你获得一块金锭
这就是服务器商店所应用到的指令啦！
这些指令其实难度都不大，最主要的就是要怎么好好的运用他们才是最关键的事情，只有这样才能玩透我的世界建造服务器，这样不但可以在我的世界为所欲为还能随心所欲建造自己想要的东西。
我的世界
dummy的作用是：
1 保证可制造性，防止芯片在制造过程中由于曝光过渡或不足而导致的蚀刻失败：如在tapeout的时候会检查芯片的density，插入dummy metal、dummy poly、dummy diff等；
2 避免由于光刻过程中光的反射与衍射而影响到关键元器件物理图形的精度进又而影响其size：如在模拟电路的电阻、电容阵列外围加上dummy res和dummy cap等，以及关键MOS附近加dummy MOS等；
3 避免芯片中的noise对关键信号的影响，在关键信号的周围加上dummy routing layer后者dummy元器件：如对于某些易受干扰的信号线除了尽量减小其走线长度外，还应该在其走线的左右和上下都加上dummy metal/poly并接地，保证其不受noise的影响。在cap外围加dummy cap也有类似的作用。
作用：
CMOS 器件版图 DUMMY 图形：IC版图除了要体现电路的逻辑或功能确保LVS验证正确外，还要增加一些与LVS（电路匹配）无关的图形，以减小中间过程中的偏差，我们通常称这些图形为dummy layer。有些dummy layer 是为了防止刻蚀时出现刻蚀不足或刻蚀过度而增加的，比如metal density 不足就需要增加一些metal dummy layer以增加metal 密度。另外一些则是考虑到光的反射与衍射，关键图形四周情况大致相当，避免因曝光而影响到关键图形的尺寸。下面列举了几个例子，其中还夹杂一些其他内容：
MOS dummy：在MOS 两侧增加dummy poly，避免Length受到影响。对NMOS先加P type guard ring 连接VSS，接着加N type guard ring 连接VDD。对PMOS先加N type 连接VDD，接着加P type连接VSS。拆分MOS应为偶数根，Source端与四周guar ring就近连接。比如拆分NMOS为偶数根, 连接VSS的端在外侧并直接与四周guard ring相连。
RES dummy：类似于MOS dummy方法增加dummy, 有时会在四周都加上。在poly/diff 电阻下面增加nwell 减轻noise 对电阻的影响，nwell连接高电位与sub反偏。Nwell电阻四周加sub cont 连接VSS。Nwell电阻为了降低光照使电阻阻值下降的影响，在上面覆盖metal并连接高电位。其次为给nwell电阻足够的margin 通常nwell宽度5-6um。
CAP dummy： 增加dummy方法类似，用Nwell阻挡相自于substrate的noise，Nwell接高电位与sub 反偏。
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